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深紫外激光光谱仪通过验收深入研究半导体光学特性|am娱乐注册登录
时间:2021-01-26 来源:am娱乐注册登录 浏览量 6600 次

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am娱乐注册登录|近日,中国科学院规划财政局组织专家进行了半导体共享的国家基础科研设备开发项目浅紫外光固态激光源前沿设备开发项目子项目的竣工验收。中科院规划财政局局长孔鲤、副局长曹宁、科研条件处处长杨伟进等领导前来指导工作。

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浅紫外线综合部总经理詹文山、事业部总监任军、项目总监梁建宁参加会议。专家组成员还包括北京大学秦国刚院士、中国科学院监督考试局袁东主任、北京大学沈波教授、清华大学葛教授、中国科学院物理研究所王力教授、北京工业大学沈广地教授、北京中科有限公司李启智研究员、中国科学院微电子研究所刘明研究员和北京航空航天大学教授。

项目共享单位半导体研究所所长李树深院士、朱宁华副所长、王院士、科技总监郑等20余位领导及合作单位代表、专家参加了项目竣工验收会议。孔鲤主任介绍了国家基础科研设备浅紫外固体激光光源前沿设备开发项目立项背景及其他子项目竣工验收的部分情况,并介绍了规划财政局仪器开发项目近期的部分情况。该光紫外激光光致发光光谱仪具有测量最稳定的发射光谱和时间分辨光谱的功能,将作为超宽带隙半导体材料,如氮化铝、氧化锌、氮化硼、金刚石等。

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深紫外区闪烁波长的其他材料的物理研究和光学性质密切相关。该光致发光光谱仪的应用将突破目前超宽带半导体材料光学性质无法深入研究的困境,回应上述材料中许多尚未解决的基础物理问题,为超宽带隙半导体材料的材料物理研究做出贡献,进而对仍处于探索阶段的材料生长研究起到有力的推动作用,使我国在超宽带隙半导体材料研究领域重回国际前沿。

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